Галијум нитрид, као полупроводнички материјал са широким појасом, доживео је брзо проширење капацитета за уређаје за напајање и РФ чипове током 2026. За разлику од монокристалних силицијумских плочица, ГаН супстрати достижу Мохсову тврдоћу између 8,5-9,0, са посебним стабилним хемијским спојем који је тешко спојити. хемијско-механички процеси планаризације. Обични полиуретански ЦМП јастучићи опште намене за силицијум не могу да испуне захтеве обраде ГаН, а усклађивање материјала постало је једно од главних уских грла које ограничавају принос масовне производње.
У стварној повратној информацији о раду фабрика, неправилно усклађене формуле јастучића лако узрокују два типична дефекта: недовољна брзина уклањања материјала која доводи до ниске пропусности или прекомерно механичко абразије које уноси микроогреботине и подземна оштећења на површинама ГаН плочице. За ГаН‑он‑Си и ГаН‑он‑СиЦ структуре које су гајене епитаксијално, чак и ситне површинске огреботине ће директно погоршати електричне перформансе наредних уређаја. Подаци индустријских тестова показују да квалификовани полиуретански јастучићи намењени ГаН-у морају да уравнотеже структуру пора, тврдоћу и хемијску отпорност истовремено. Величина пора се обично контролише унутар 25 μм-50 μм да би се остварило стабилно задржавање суспензије и ефикасно пражњење остатака, избегавајући зачепљење пора током дуготрајног непрекидног полирања.
Многи програмери потрошног материјала за полупроводнике сада прилагођавају системе умрежавања од термосет полиуретана за ГаН сценарије. Дизајн тврдоће мора да успостави фину равнотежу: превише тврди јастучићи производе огреботине, док претерано мекани јастучићи жртвују глобалну способност планаризације по целој плочици. Вишеслојне композитне структуре које комбинују чврсти горњи слој за полирање и компатибилну подметачу постепено су постале главна решења за ГаН ЦМП обраду.
Ослањајући се на наше акумулирано искуство у развоју полиуретанских материјала високих перформанси, оптимизујемо формулацију основног полимера и параметре микропене циљајући ГаН карактеристике полирања. Наше решење за материјал се фокусира на стабилну конзистенцију пора, добру отпорност на алкалну и киселу ЦМП суспензију и ниске перформансе одвајања честица. Подржава фабове за добијање глатких ГаН површина на нивоу атома уз одржавање прихватљиве ефикасности уклањања, помажући клијентима да скрате циклусе отклањања грешака у процесу за масовну производњу сложених полупроводника.